Name: TK10E80W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK10E80WS1X-ND
Price: 27.67 CNY
Availability: InStock

TK10E80W,S1X
DigiKey 零件编号	264-TK10E80WS1X-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK10E80W,S1X
描述	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
原厂标准交货期	52 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 800 V 9.5A（Ta） 130W（Tc） TO-220
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	DTMOSIV
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	550 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 450µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1150 pF @ 300 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	130W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220
封装/外壳	TO-220-3

数量

所有价格均以 CNY 计算

管件