Name: STL26NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STL26NM60NTR-ND
Price: 53.26 CNY
Availability: InStock

STL26NM60N
DigiKey 零件编号	497-STL26NM60NTR-ND - 卷带（TR） 497-STL26NM60NCT-ND - 剪切带（CT） 497-STL26NM60NDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	STL26NM60N
描述	MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 2.7A（Ta），19A（Tc） 125mW（Ta），3W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	STMicroelectronics
系列	MDmesh™ II
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.7A（Ta），19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	185 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1800 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125mW（Ta），3W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳	4-PowerVDFN
基本产品编号	STL26

STL26NM60N