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SCTW40N120G2VAG 没有现货，但可以进行缺货下单。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
SCTW40N120G2VAG | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 497-SCTW40N120G2VAG-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTW40N120G2VAG |
描述 | SICFET N-CH 1200V 33A HIP247 |
原厂标准交货期 | 21 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 1200 V 33A（Tc） 290W（Tc） HiP247™ |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 63 nC @ 18 V |
制造商 | Vgs（最大值） +22V，-10V |
包装 管件 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1230 pF @ 800 V |
零件状态 在售 | 功率耗散（最大值） 290W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ） |
技术 | 等级 汽车级 |
漏源电压（Vdss） 1200 V | 资质 AEC-Q101 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 安装类型 通孔 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V | 供应商器件封装 HiP247™ |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 105毫欧 @ 20A，18V | 封装/外壳 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 1mA | 基本产品编号 |
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替代品 (5)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWS120H100SM4 | Diodes Incorporated | 27 | 31-DMWS120H100SM4-ND | ¥184.42000 | 类似 |
| DMWSH120H90SM3 | Diodes Incorporated | 20 | 31-DMWSH120H90SM3-ND | ¥99.49000 | 类似 |
| DMWSH120H90SM3Q | Diodes Incorporated | 24 | 31-DMWSH120H90SM3Q-ND | ¥122.07000 | 类似 |
| DMWSH120H90SM4Q | Diodes Incorporated | 17 | 31-DMWSH120H90SM4Q-ND | ¥122.07000 | 类似 |
| MSC080SMA120B | Microchip Technology | 126 | MSC080SMA120B-ND | ¥105.86000 | 类似 |
现货: 0
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管件
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥152.25000 | ¥152.25 |
| 30 | ¥94.39933 | ¥2,831.98 |
| 120 | ¥81.73925 | ¥9,808.71 |
| 510 | ¥77.03502 | ¥39,287.86 |
