SCT2H12NYTB 已经过时且不再制造。
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Rohm Semiconductor
现货: 607
单价: ¥49.37000
规格书
表面贴装型 N 通道 1700 V 4A(Tc) 44W(Tc) TO-268
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
表面贴装型 N 通道 1700 V 4A(Tc) 44W(Tc) TO-268
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NYTB

DigiKey 零件编号
SCT2H12NYTBTR-ND - 卷带(TR)
SCT2H12NYTBCT-ND - 剪切带(CT)
SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
SCT2H12NYTB
描述
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 1700 V 4A(Tc) 44W(Tc) TO-268
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SCT2H12NYTB 型号
产品属性
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显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 410µA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 18 V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Vgs(最大值)
+22V,-6V
零件状态
停产
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
184 pF @ 800 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
44W(Tc)
技术
工作温度
175°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
1700 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-268
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
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SCT2H12NWBTL1Rohm Semiconductor607846-SCT2H12NWBTL1CT-ND¥49.37000MFR Recommended
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