Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 49.37 CNY
Availability: InStock

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SCT2H12NWBTL1
DigiKey 零件编号	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - 卷带（TR） 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - 剪切带（CT） 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	SCT2H12NWBTL1
描述	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
原厂标准交货期	23 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 1700 V 3.9A（Tc） 39W（Tc） TO-263CA-7LSHYAD
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 410µA
制造商 Rohm Semiconductor	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 24 nC @ 18 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	Vgs（最大值） +22V，-6V
零件状态在售	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 197 pF @ 800 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 39W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 175°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 1700 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.9A（Tc）	供应商器件封装 TO-263CA-7LSHYAD
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V	封装/外壳 TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.5 欧姆 @ 1.1A，18V