QS8J11TCR 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


Rohm Semiconductor
现货: 7,444
单价: ¥7.55000
规格书

类似


onsemi
现货: 189
单价: ¥6.24000
规格书

QS8J11TCR

DigiKey 零件编号
QS8J11TCRTR-ND - 卷带(TR)
QS8J11TCRCT-ND - 剪切带(CT)
QS8J11TCRDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
QS8J11TCR
描述
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 12V 3.5A 550mW 表面贴装型 TSMT8
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
QS8J11TCR 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
漏源电压(Vdss)
12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
43 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
22nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2600pF @ 6V
功率 - 最大值
550mW
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商器件封装
TSMT8
基本产品编号