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NVMFD5483NLT3G 已经过时且不再制造。
可用替代品:
直接
类似
图像仅供参考，请参阅产品规格书。
NVMFD5483NLT3G | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | NVMFD5483NLT3G-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | NVMFD5483NLT3G |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 60V 6.4A 3.1W 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | NVMFD5483NLT3G 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23.4nC @ 10V |
制造商 onsemi | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 668pF @ 25V |
包装 卷带（TR） | 功率 - 最大值 3.1W |
零件状态 停产 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 MOSFET（金属氧化物） | 等级 汽车级 |
配置 2 N-通道（双） | 资质 AEC-Q101 |
FET 功能 逻辑电平门 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 60V | 封装/外壳 8-PowerTDFN |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.4A | 供应商器件封装 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 36 毫欧 @ 15A，10V | 基本产品编号 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA |
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替代品 (2)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFD5C680NLT1G | onsemi | 3,000 | NVMFD5C680NLT1GOSCT-ND | ¥23.55000 | 直接 |
| STL7DN6LF3 | STMicroelectronics | 8,143 | 497-13167-1-ND | ¥22.00000 | 类似 |
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