NVMFD5C680NLT1G 没有现货,但可以进行缺货下单。
可用替代品:

类似


Renesas Electronics Corporation
现货: 2,460
单价: ¥28.12000
规格书

类似


Panjit International Inc.
现货: 3,000
单价: ¥13.15000
规格书
MOSFET - 阵列 60V 7.5A(Ta),26A(Tc) 3W(Ta),19W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
MOSFET - 阵列 60V 7.5A(Ta),26A(Tc) 3W(Ta),19W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
8 Power TDFN

NVMFD5C680NLT1G

DigiKey 零件编号
NVMFD5C680NLT1GOSTR-ND - 卷带(TR)
NVMFD5C680NLT1GOSCT-ND - 剪切带(CT)
NVMFD5C680NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
NVMFD5C680NLT1G
描述
MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
原厂标准交货期
50 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 60V 7.5A(Ta),26A(Tc) 3W(Ta),19W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
规格书
 规格书
产品属性
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类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2nC @ 4.5V
制造商
onsemi
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
350pF @ 25V
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
功率 - 最大值
3W(Ta),19W(Tc)
零件状态
在售
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术
MOSFET(金属氧化物)
等级
汽车级
配置
2 N-通道(双)
资质
AEC-Q101
漏源电压(Vdss)
60V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.5A(Ta),26A(Tc)
封装/外壳
8-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28 毫欧 @ 5A,10V
供应商器件封装
8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 13µA
基本产品编号
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (2)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
NP30N06QDK-E1-AYRenesas Electronics Corporation2,460559-NP30N06QDK-E1-AYCT-ND¥28.12000类似
PJQ5866A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.3,0003757-PJQ5866A-AU_R2_000A1CT-ND¥13.15000类似
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剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥23.53000¥23.53
10¥15.15400¥151.54
100¥10.35570¥1,035.57
500¥8.30178¥4,150.89
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1,500¥6.31119¥9,466.78
3,000¥5.87783¥17,633.49
制造商标准包装