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FDG6303N_D87Z 已经过时且不再制造。
可用替代品:
类似
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 停产 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压（Vdss） | 25V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 500mA，4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.3nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 10V | |
功率 - 最大值 | 300mW | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | |
供应商器件封装 | SC-88（SC-70-6） | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 10,000 | ¥0.96264 | ¥9,626.40 |
| 30,000 | ¥0.94837 | ¥28,451.10 |
| 50,000 | ¥0.89133 | ¥44,566.50 |
制造商标准包装
