FDB12N50FTM-WS onsemi | 分立半导体产品

FDB12N50FTM-WS
DigiKey 零件编号	FDB12N50FTM-WSTR-ND - 卷带（TR） FDB12N50FTM-WSCT-ND - 剪切带（CT） FDB12N50FTM-WSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDB12N50FTM-WS
描述	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 500 V 11.5A（Tc） 165W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FDB12N50FTM-WS 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	UniFET™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	700 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1395 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	165W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2PAK）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	FDB12N50

数量	单价 (含13%增值税)	总价 (含13%增值税)
1	¥15.60000	¥15.60
10	¥12.92200	¥129.22

FDB12N50FTM-WS