FCPF165N65S3L1 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似

AOTF190A60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 516
单价: ¥31.93000
规格书

类似

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
现货: 661
单价: ¥28.08000
规格书

类似

IXFP22N65X2M
IXYS
现货: 0
单价: ¥40.23000
规格书

类似

R6020ENX
Rohm Semiconductor
现货: 10
单价: ¥27.58000
规格书

类似

SPA20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
现货: 0
单价: ¥44.91000
规格书

类似

STF23NM60ND
STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥25.86847
规格书

类似

STF24NM60N
STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥27.09000
规格书

类似

TK16A60W5,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 57
单价: ¥22.78000
规格书
查看所有替代品并进行比较

FCPF165N65S3L1

DigiKey 零件编号
FCPF165N65S3L1-ND
制造商
onsemi
制造商产品编号
FCPF165N65S3L1
描述
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 19A（Tc） 35W（Tc） TO-220F-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
SuperFET® III
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
165 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1415 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FCPF165