Name: FCMT125N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCMT125N65S3OSTR-ND
Price: 48.93 CNY
Availability: InStock

FCMT125N65S3
DigiKey 零件编号	FCMT125N65S3OSTR-ND - 卷带（TR） FCMT125N65S3OSCT-ND - 剪切带（CT） FCMT125N65S3OSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FCMT125N65S3
描述	MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 24A（Tc） 181W（Tc） 4-PQFN（8x8）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FCMT125N65S3 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	SuperFET® III
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	不适用于新设计
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	125 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 590µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1920 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	181W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	4-PQFN（8x8）
封装/外壳	4-PowerTSFN
基本产品编号	FCMT125

FCMT125N65S3