PSMN2R6-100SSFJ Nexperia USA Inc. | 分立半导体产品

PSMN2R6-100SSFJ
DigiKey 零件编号	1727-PSMN2R6-100SSFJTR-ND - 卷带（TR） 1727-PSMN2R6-100SSFJCT-ND - 剪切带（CT） 1727-PSMN2R6-100SSFJDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Nexperia USA Inc.
制造商产品编号	PSMN2R6-100SSFJ
描述	NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 200A（Ta） 341W（Ta） LFPAK88（SOT1235）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Nexperia USA Inc.
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	Digi-Key 停止提供
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.6 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	191 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	12838 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	341W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	LFPAK88（SOT1235）
封装/外壳	SOT-1235

PSMN2R6-100SSFJ