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IXTP08N100D2 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 238-IXTP08N100D2-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IXTP08N100D2 |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB |
原厂标准交货期 | 32 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 沟道，耗尽型 1000 V 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220-3 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IXTP08N100D2 型号 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14.6 nC @ 5 V |
制造商 | Vgs（最大值） ±20V |
系列 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 325 pF @ 25 V |
包装 管件 | 功率耗散（最大值） 60W（Tc） |
零件状态 在售 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
FET 类型 | 安装类型 通孔 |
技术 | 供应商器件封装 TO-220-3 |
漏源电压（Vdss） 1000 V | 封装/外壳 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 21 欧姆 @ 400mA，0V |
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| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥32.50000 | ¥32.50 |
| 50 | ¥16.42260 | ¥821.13 |
| 100 | ¥14.86450 | ¥1,486.45 |
| 500 | ¥12.13506 | ¥6,067.53 |
| 1,000 | ¥11.25828 | ¥11,258.28 |
| 2,000 | ¥10.52138 | ¥21,042.76 |
| 5,000 | ¥9.97362 | ¥49,868.10 |
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