通孔 N 沟道,耗尽型 500 V 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
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IXTP08N50D2

DigiKey 零件编号
238-IXTP08N50D2-ND
制造商
制造商产品编号
IXTP08N50D2
描述
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
原厂标准交货期
32 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 沟道,耗尽型 500 V 800mA(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
规格书
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产品属性
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类别
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12.7 nC @ 5 V
制造商
Vgs(最大值)
±20V
系列
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
312 pF @ 25 V
包装
管件
功率耗散(最大值)
60W(Tc)
零件状态
在售
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
FET 类型
安装类型
通孔
技术
供应商器件封装
TO-220-3
漏源电压(Vdss)
500 V
封装/外壳
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
基本产品编号
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.6 欧姆 @ 400mA,0V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 1,806
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥32.50000¥32.50
50¥16.42260¥821.13
100¥14.86450¥1,486.45
500¥12.13506¥6,067.53
1,000¥11.25828¥11,258.28
2,000¥10.52138¥21,042.76
5,000¥9.97362¥49,868.10
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。