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IXFN120N65X2 没有现货，但可以进行缺货下单。
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类似
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 54A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 8mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 225 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 15500 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 890W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 底座安装 | |
供应商器件封装 | SOT-227B | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
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管件
| 数量 | 单价 （含 13% 增值税） | 总价 （含 13% 增值税） |
|---|---|---|
| 1 | ¥397.29000 | ¥397.29 |
| 10 | ¥298.46400 | ¥2,984.64 |
| 100 | ¥258.20910 | ¥25,820.91 |
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