Name: IRFB3206GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB3206GPBF-ND
Price: 23.23 CNY
Availability: InStock

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	HEXFET®
包装	管件
零件状态	不适用于新设计
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6540 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3
基本产品编号	IRFB3206

IRFB3206GPBF