通孔 N 通道 1200 V 55A(Tc) 244W(Tc) PG-TO247-4-17
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通孔 N 通道 1200 V 55A(Tc) 244W(Tc) PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R034M2HXKSA1

DigiKey 零件编号
448-IMZC120R034M2HXKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IMZC120R034M2HXKSA1
描述
SICFET N-CH 1200V 55A TO247
原厂标准交货期
69 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 1200 V 55A(Tc) 244W(Tc) PG-TO247-4-17
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IMZC120R034M2HXKSA1 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
34 毫欧 @ 20A,18V
制造商
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.1V @ 6.4mA
系列
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
45 nC @ 18 V
包装
管件
Vgs(最大值)
+23V,-7V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1510 pF @ 800 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
244W(Tc)
技术
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
1200 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
PG-TO247-4-17
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,18V
封装/外壳
环境与出口分类
产品问答
其他资源
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管件
数量 单价
(含 13% 增值税)
总价
(含 13% 增值税)
1¥121.16000¥121.16
30¥72.66567¥2,179.97
120¥62.03050¥7,443.66
510¥54.24259¥27,663.72
1,020¥51.40371¥52,431.78
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。