Name: IMZC120R022M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Price: 126.47 CNY
Availability: InStock

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolSiC™ G2
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	22 毫欧 @ 32A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.1V @ 10.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	71 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2330 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	329W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO247-4-17
封装/外壳	TO-247-4

IMZC120R022M2HXKSA1