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市场产品
IMZ120R350M1HXKSA1 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | IMZ120R350M1HXKSA1-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | IMZ120R350M1HXKSA1 | |
描述 | SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4 | |
原厂标准交货期 | 25 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 通孔 N 通道 1200 V 4.7A（Tc） 60W（Tc） PG-TO247-4-1 | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | IMZ120R350M1HXKSA1 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V，18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 2A，18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.3 nC @ 18 V | |
Vgs（最大值） | +23V，-7V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 182 pF @ 800 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 60W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | PG-TO247-4-1 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥57.38000 | ¥57.38 |
| 30 | ¥45.81900 | ¥1,374.57 |
| 120 | ¥40.99542 | ¥4,919.45 |
| 510 | ¥36.17231 | ¥18,447.88 |
| 1,020 | ¥32.55505 | ¥33,206.15 |
| 2,010 | ¥30.50524 | ¥61,315.53 |
制造商标准包装
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