Name: IMDQ75R016M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R016M1HXUMA1TR-ND
Price: 162.22 CNY
Availability: InStock

IMDQ75R016M1HXUMA1
DigiKey 零件编号	448-IMDQ75R016M1HXUMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IMDQ75R016M1HXUMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IMDQ75R016M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IMDQ75R016M1HXUMA1
描述	SILICON CARBIDE MOSFET
原厂标准交货期	26 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 750 V 98A（Tc） 384W（Tc） PG-HDSOP-22-1
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolSiC™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）	750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	98A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	15毫欧 @ 41.5A，20A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.6V @ 14.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	80 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2869 pF @ 500 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	384W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-HDSOP-22-1
封装/外壳	22-PowerBSOP 模块

IMDQ75R016M1HXUMA1