FET,MOSFET
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FET、MOSFET
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种半导体开关,常用于控制模拟和数字电路中的电流。它的工作方式是,向栅极端子施加电压,以调节漏极和源极端子之间的电流。由于具有高效率、低功耗和开关速度快的优点,MOSFET 广泛应用于电源、电机驱动器、DC-DC 转换器和 CMOS 逻辑电路。
选择 MOSFET 时,重要的是要使其电气特性与您的应用相匹配。首先检查漏源电压 (VDS),确保其超过电路将会遇到的最高电压。然后查看栅极阈值电压 (VGS(th))—如果使用的是微控制器(如 3.3V 或 5V 逻辑),则需要在这些电压下完全导通的逻辑电平 MOSFET。连续漏极电流 (ID) 额定值必须达到或超过负载将消耗的电流,而较低的导通电阻 (RDS(on)) 将有助于最大限度减少热量和功率损失。
MOSFET 主要有两种类型:N 沟道和 P 沟道,每种类型都有增强型和耗尽型两种版本。N 沟道增强型 MOSFET 是最常用的,因为它们具有更高的电子迁移率,进而具有更低的导通电阻和更好的开关效率。虽然 MOSFET 和 BJT(双极结型晶体管)都用作开关或放大器,但 MOSFET 是电压控制型器件,而 BJT 是电流控制型器件。这使得 MOSFET 在高速、低功耗和热敏感应用中具有显著优势。
选择 MOSFET 时,重要的是要使其电气特性与您的应用相匹配。首先检查漏源电压 (VDS),确保其超过电路将会遇到的最高电压。然后查看栅极阈值电压 (VGS(th))—如果使用的是微控制器(如 3.3V 或 5V 逻辑),则需要在这些电压下完全导通的逻辑电平 MOSFET。连续漏极电流 (ID) 额定值必须达到或超过负载将消耗的电流,而较低的导通电阻 (RDS(on)) 将有助于最大限度减少热量和功率损失。
MOSFET 主要有两种类型:N 沟道和 P 沟道,每种类型都有增强型和耗尽型两种版本。N 沟道增强型 MOSFET 是最常用的,因为它们具有更高的电子迁移率,进而具有更低的导通电阻和更好的开关效率。虽然 MOSFET 和 BJT(双极结型晶体管)都用作开关或放大器,但 MOSFET 是电压控制型器件,而 BJT 是电流控制型器件。这使得 MOSFET 在高速、低功耗和热敏感应用中具有显著优势。








