单 FET,MOSFET
结果 : 4
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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0 现货 查看交期 | 1 : ¥56.16000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiC(碳化硅结晶体管) | 750 V | 16A(Tj) | 15V,20V | 129 毫欧 @ 4.7A,20V | 5.6V @ 1.7mA | 13 nC @ 18 V | +23V,-5V | 351 pF @ 500 V | - | 86W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | PG-TO247-4 | TO-247-4 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥99.10000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiC(碳化硅结晶体管) | 750 V | 44A(Tj) | 15V,20V | 37 毫欧 @ 16.6A,20V | 5.6V @ 6mA | 34 nC @ 18 V | +23V,-5V | 1135 pF @ 500 V | - | 185W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | PG-TO247-4 | TO-247-4 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥139.01000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiC(碳化硅结晶体管) | 750 V | 60A(Tj) | 15V,20V | 25 毫欧 @ 24.5A,20V | 5.6V @ 8.8mA | 49 nC @ 18 V | +23V,-5V | 1668 pF @ 500 V | - | 234W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | PG-TO247-4 | TO-247-4 | |||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥208.90000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | SiC(碳化硅结晶体管) | 750 V | 89A(Tj) | 15V,20V | 15 毫欧 @ 41.5A,20V | 5.6V @ 14.9mA | 81 nC @ 18 V | +23V,-5V | 2869 pF @ 500 V | - | 319W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | PG-TO247-4 | TO-247-4 |
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