单 FET,MOSFET

结果 : 4
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Tj)44A(Tj)60A(Tj)89A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15 毫欧 @ 41.5A,20V25 毫欧 @ 24.5A,20V37 毫欧 @ 16.6A,20V129 毫欧 @ 4.7A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 1.7mA5.6V @ 14.9mA5.6V @ 6mA5.6V @ 8.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13 nC @ 18 V34 nC @ 18 V49 nC @ 18 V81 nC @ 18 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
351 pF @ 500 V1135 pF @ 500 V1668 pF @ 500 V2869 pF @ 500 V
功率耗散(最大值)
86W(Tc)185W(Tc)234W(Tc)319W(Tc)
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
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1 : ¥56.16000
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管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)750 V16A(Tj)15V,20V129 毫欧 @ 4.7A,20V5.6V @ 1.7mA13 nC @ 18 V+23V,-5V351 pF @ 500 V-86W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔PG-TO247-4TO-247-4
0
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1 : ¥99.10000
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管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)750 V44A(Tj)15V,20V37 毫欧 @ 16.6A,20V5.6V @ 6mA34 nC @ 18 V+23V,-5V1135 pF @ 500 V-185W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔PG-TO247-4TO-247-4
0
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1 : ¥139.01000
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在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)750 V60A(Tj)15V,20V25 毫欧 @ 24.5A,20V5.6V @ 8.8mA49 nC @ 18 V+23V,-5V1668 pF @ 500 V-234W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔PG-TO247-4TO-247-4
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1 : ¥208.90000
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管件
在售N 通道SiC(碳化硅结晶体管)750 V89A(Tj)15V,20V15 毫欧 @ 41.5A,20V5.6V @ 14.9mA81 nC @ 18 V+23V,-5V2869 pF @ 500 V-319W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔PG-TO247-4TO-247-4
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。