IGBT 模块

结果 : 9
包装
托盘散装管件
产品状态
停产在售
IGBT 类型
-NPT沟槽型场截止沟道
配置
全桥半桥单路
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
57 A67 A84 A121 A139 A146 A187 A281 A
功率 - 最大值
240 W284 W305 W431 W446 W658 W890 W1087 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.64V @ 15V,50A2.05V @ 15V,100A2.15V @ 15V,100A2.16V @ 15V,20A2.55V @ 15V,100A2.55V @ 15V,80A-
电流 - 集电极截止(最大值)
50 µA100 µA200 µA250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
1430 pF @ 30 V4.4 nF @ 25 V6000 pF @ 25 V6.15 nF @ 25 V9.35 nF @ 25 V
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
底座安装通孔
封装/外壳
12-MTP 模块16-MTP 模块SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装
12-MTP16-MTPSOT-227
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿(最大值)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
322
现货
1 : ¥368.61000
管件
管件
在售沟槽型场截止单路1200 V281 A1087 W2.05V @ 15V,100A100 µA9.35 nF @ 25 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
195
现货
1 : ¥330.88000
散装
散装
在售沟道单路1200 V187 A890 W2.55V @ 15V,100A100 µA6.15 nF @ 25 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
38
现货
1 : ¥302.02000
散装
散装
在售沟道单路1200 V139 A658 W2.55V @ 15V,80A100 µA4.4 nF @ 25 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
0
现货
查看交期
160 : ¥221.08138
散装
散装
在售沟槽型场截止单路600 V146 A446 W2.15V @ 15V,100A100 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
0
现货
查看交期
105 : ¥463.69590
散装
散装
在售沟槽型场截止半桥600 V121 A305 W1.64V @ 15V,50A100 µA6000 pF @ 25 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)通孔12-MTP 模块12-MTP
0
现货
查看交期
105 : ¥599.08181
散装
散装
在售沟槽型场截止全桥1200 V57 A240 W2.16V @ 15V,20A200 µA1430 pF @ 30 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装16-MTP 模块16-MTP
0
现货
停产
管件
停产NPT单路1200 V84 A431 W-50 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
0
现货
停产
管件
停产NPT单路1200 V84 A431 W-50 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
0
现货
停产
托盘
停产-全桥600 V67 A284 W-250 µA-标准150°C(TJ)底座安装12-MTP 模块12-MTP
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IGBT 模块


绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。