单 FET,MOSFET

结果 : 4
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A(Tc)7A(Tc)7.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
31 毫欧 @ 7.9A,10V42 毫欧 @ 5A,10V60 毫欧 @ 4.7A,4.5V68 毫欧 @ 2.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.3 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V19.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
550 pF @ 30 V553 pF @ 20 V840 pF @ 10 V1100 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
3W(Tc)5W(Tc)
供应商器件封装
6-TSOPSOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
SQ2318CES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Vishay Siliconix
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7A(Tc)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 7.9A,10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
553 pF @ 20 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
SQ2362CES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.3A(Tc)
4.5V,10V
68 毫欧 @ 2.4A,10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP
SQ3425CEV-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.4A(Tc)
2.5V,4.5V
60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1.4V @ 250µA
10.3 nC @ 4.5 V
±12V
840 pF @ 10 V
-
5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
SQ3426CEEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
7A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。