单 FET,MOSFET

结果 : 347
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaMOSFETKY™HEXFET®LITTLE FOOT®OptiMOS™PowerTrench®PowerTrench®, SyncFET™SkyFET®, TrenchFET®SkyFET®, TrenchFET® Gen IIISRFET™STripFET™STripFET™ H7STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V25 V30 V40 V45 V50 V55 V60 V190 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)280mA(Ta)700mA(Ta)950mA(Tc)1A(Ta)1.1A(Ta)1.2A(Ta)1.3A(Ta)1.4A(Ta)1.5A(Ta)1.5A(Tc)1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,4V2V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,4V2.7V,4.5V3.2V,4.5V4V4V,10V4.5V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.7 毫欧 @ 25A,10V0.89 毫欧 @ 25A,10V0.9 毫欧 @ 25A,10V0.94 毫欧 @ 25A,10V0.96 毫欧 @ 15A,10V0.97 毫欧 @ 25A,10V1 毫欧@ 25A,10V1.02 毫欧 @ 25A,10V1.03 毫欧 @ 25A,10V1.05 毫欧 @ 50A,10V1.09 毫欧 @ 38A,10V1.1 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
500mV @ 250µA(最小)600mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA(最小)1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1V @ 800µA1.1V @ 100µA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.2V @ 250µA1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 5 V1.7 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 5 V1.8 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4 V2 nC @ 10 V2 nC @ 5 V2.1 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 5 V2.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+5.5V,-0.3V±6V8V±8V10V±10V12V±12V±15V+16V,-12V±16V+20V,-16V20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V70 pF @ 10 V70 pF @ 25 V75 pF @ 15 V80 pF @ 10 V85 pF @ 15 V88 pF @ 10 V90 pF @ 10 V90 pF @ 100 V95 pF @ 15 V110 pF @ 10 V120 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)200mW(Ta)330mW(Ta)485mW(Ta),6.25W(Tc)500mW(Ta)600mW(Ta)700mW(Ta)710mW(Ta)730mW(Ta)770mW(Ta)780mW(Ta)800mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-25°C ~ 150°C(TJ)125°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-WLCSP(0.96x0.96)5-CPH5-MCPH6-DFN(2x2)6-HUSON(2x2)6-MicroFET(1.6x1.6)6-MicroFET(2x2)6-SCH6-TSOP6-UDFN(1.6x1.6)6-WDFN(2x2)6-WEMT
封装/外壳
3-PowerSMD,引线4-UFBGA,WLCSP5-SMD,扁平引线6-SMD(5引线),扁引线6-SMD,扁平引线6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘6-UFDFN 裸露焊盘6-VDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
347结果
搜索条目

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/ 347
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-VDFN_506AN
NTLJF3117PT1G
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
onsemi
18,303
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.35996
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.3A(Ta)
1.8V,4.5V
100 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
531 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WDFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
6-VDFN_506AN
NTLJF4156NT1G
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
onsemi
6,053
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80146
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.5A(Tj)
1.5V,4.5V
70 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
±8V
427 pF @ 15 V
肖特基二极管(隔离式)
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WDFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
TSDSON-8
BSZ0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Infineon Technologies
10,849
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.10863
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
18A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±20V
1463 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
2.1W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN1R0-40SSHJ
MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Nexperia USA Inc.
930
现货
1 : ¥28.73000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.61629
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
325A(Tc)
10V
1 毫欧@ 25A,10V
3.6V @ 1mA
137 nC @ 10 V
±20V
10322 pF @ 25 V
肖特基二极管(体)
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
PSMNxRx-xxYx,115
PSMNR90-40YLHX
MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
5,108
现货
1 : ¥30.29000
剪切带(CT)
1,500 : ¥15.64072
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
300A(Tc)
4.5V,10V
0.94 毫欧 @ 25A,10V
2.05V @ 1mA
168 nC @ 10 V
±20V
12673 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56; Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
PSMN1R9-80SSEJ
PSMNR70-40SSHJ
MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88
Nexperia USA Inc.
3,105
现货
1 : ¥45.89000
剪切带(CT)
2,000 : ¥22.32138
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
425A(Tc)
10V
0.7 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
202 nC @ 10 V
±20V
15719 pF @ 25 V
肖特基二极管(体)
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
8-Power TDFN
BSC0501NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Infineon Technologies
11,778
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.15137
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
29A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSC010N04LSIATMA1
MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,058
现货
1 : ¥27.75000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.94512
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
37A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.05 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
6200 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8 SO
DMS3015SSS-13
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Diodes Incorporated
41,733
现货
40,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.22053
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11A(Ta)
4.5V,10V
11.9 毫欧 @ 11A,10V
2.5V @ 250µA
30.6 nC @ 10 V
±12V
1276 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
1.55W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA817EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
9,753
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.5A(Tc)
2.5V,10V
65 毫欧 @ 3A,10V
1.3V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±12V
600 pF @ 15 V
肖特基二极管(隔离式)
1.9W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA811ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
2,765
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46759
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.5A(Tc)
1.8V,4.5V
116 毫欧 @ 2.8A,4.5V
1V @ 250µA
13 nC @ 8 V
±8V
345 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.8W(Ta),6.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK® SC-70-6 双
PowerDI3333-8
DMS3014SFG-7
MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
15,880
现货
12,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.49447
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9.5A(Ta)
1.8V,4.5V
13 毫欧 @ 10.4A,10V
2.2V @ 250µA
45.7 nC @ 10 V
±12V
4310 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
LFPAK33
PSMN6R1-25MLDX
MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
1,549
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.01780
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
60A(Tc)
4.5V,10V
7.24 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 1mA
10.7 nC @ 10 V
±20V
702 pF @ 12 V
肖特基二极管(体)
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
PowerPAK 1212-8
SIS782DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,764
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.91409
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 10A,10V
2.3V @ 250µA
30.5 nC @ 10 V
±20V
1025 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
41W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TSMT5 Pkg
QS5U17TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Rohm Semiconductor
8,685
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.06769
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2A(Ta)
2.5V,4.5V
100 毫欧 @ 2A,4.5V
1.5V @ 1mA
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
175 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
900mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT5
SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
TSMT5 Pkg
QS5U28TR
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
Rohm Semiconductor
6,274
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.95998
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2A(Ta)
2.5V,4.5V
125 毫欧 @ 2A,4.5V
2V @ 1mA
4.8 nC @ 4.5 V
±12V
450 pF @ 10 V
肖特基二极管(隔离式)
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT5
SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
PowerPAK SO-8
SIRC18DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,499
现货
1 : ¥10.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.43091
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Tc)
4.5V,10V
1.1 毫欧 @ 15A,10V
2.4V @ 250µA
111 nC @ 10 V
+20V,-16V
5060 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
54.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN3R2-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,970
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.26230
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 25A,10V
2.05V @ 1mA
57 nC @ 10 V
±20V
4103 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R7-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,500
现货
1 : ¥11.99000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.28271
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
100A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 1mA
46.7 nC @ 10 V
±20V
3415 pF @ 12 V
肖特基二极管(体)
135W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TSDSON-8
BSZ0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Infineon Technologies
9,696
现货
1 : ¥12.07000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.75132
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
25A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN2R8-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
7,409
现货
1 : ¥12.72000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.59122
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
160A(Tc)
10V
2.8 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
62 nC @ 10 V
±20V
4507 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TSDSON-8
BSZ014NE2LS5IFATMA1
MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Infineon Technologies
47,161
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.64392
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
31A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
1.45 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±16V
2300 pF @ 12 V
肖特基二极管(体)
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R2-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,755
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.06633
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
100A(Tc)
4.5V,10V
1.2 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 1mA
60.3 nC @ 10 V
±20V
4327 pF @ 12 V
肖特基二极管(体)
172W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN2R5-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,344
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.94050
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
160A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 25A,10V
2.05V @ 1mA
78 nC @ 10 V
±20V
5583 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
147W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN2R0-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,215
现货
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.85174
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 25A,10V
2.05V @ 1mA
92 nC @ 10 V
±20V
6581 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。