Name: IPD30N03S4L09ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N03S4L09ATMA1TR-ND
Price: 5.09 CNY
Availability: InStock

IPD30N03S4L09ATMA1
DigiKey 零件编号	IPD30N03S4L09ATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPD30N03S4L09ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） IPD30N03S4L09ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IPD30N03S4L09ATMA1
描述	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3-11
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1520 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	42W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO252-3-11
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号	IPD30N03