onsemi 单 FET,MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
10 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Ta),25A(Tc)20A(Ta)40A(Ta),287A(Tc)457A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.79 毫欧 @ 80A,10V1.2 毫欧 @ 50A,10V4.5 毫欧 @ 35A,10V22 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 50µA3.6V @ 720µA4V @ 20µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.7 nC @ 10 V18 nC @ 10 V80 nC @ 10 V174 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
333 pF @ 30 V1150 pF @ 25 V6400 pF @ 25 V12920 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
3.4W(Ta),28W(Tc)3.6W(Ta),55W(Tc)3.9W(Ta),200W(Tc)325W(Tc)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-HPSOFLFPAK4(5x6)
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN,5 引线SOT-1023,4-LFPAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 1023
NVMYS4D5N04CTWG
T6 40V SL LFPAK
onsemi
0
现货
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1 : ¥9.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.82609
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V20A(Ta)10V4.5 毫欧 @ 35A,10V3.5V @ 50µA18 nC @ 10 V20V1150 pF @ 25 V-3.6W(Ta),55W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型LFPAK4(5x6)SOT-1023,4-LFPAK
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFWS024N06CT1G
T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLI
onsemi
0
现货
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1 : ¥10.69000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.68581
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V8A(Ta),25A(Tc)10V22 毫欧 @ 3A,10V4V @ 20µA5.7 nC @ 10 V±20V333 pF @ 30 V-3.4W(Ta),28W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PowerTDFN,5 引线
8-HPSOF Top View
NVBLS0D8N08XTXG
T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
onsemi
0
现货
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1 : ¥56.10000
剪切带(CT)
2,000 : ¥29.80680
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)80 V457A(Tc)10V0.79 毫欧 @ 80A,10V3.6V @ 720µA174 nC @ 10 V±20V12920 pF @ 40 V-325W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-HPSOF8-PowerSFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C604NWFT1G
NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
onsemi
0
现货
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1 : ¥70.56000
剪切带(CT)
1,500 : ¥40.00343
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)10 V40A(Ta),287A(Tc)4.5V,10V1.2 毫欧 @ 50A,10V4V @ 250µA80 nC @ 10 V±20V6400 pF @ 25 V-3.9W(Ta),200W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PowerTDFN,5 引线
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onsemi 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。