RF FET，MOSFET | FET，MOSFET | 晶体管 | 电子元器件分销商 DigiKey

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比较	制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	技术	配置	频率	增益	电压 - 测试	额定电流（安培）	噪声系数	电流 - 测试	功率 - 输出	电压 - 额定	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

	1011GN-1200VEL RF MOSFET HEMT 50V 55-Q03P Microchip Technology	0 现货	在售	V	散装	在售	HEMT	-	1.03GHz ~ 1.09GHz	20dB	50 V	-	-	150 mA	1200W	150 V	表面贴装型	55-Q03P	55-Q03P
	1011GN-1200V RF MOSFET HEMT 50V 55-Q03 Microchip Technology	0 现货	在售	V	散装	在售	HEMT	-	1.03GHz ~ 1.09GHz	20dB	50 V	-	-	150 mA	1200W	150 V	表面贴装型	55-Q03	55-Q03
	2729GN-270V RF MOSFET HEMT 50V 55-QP Microchip Technology	0 现货	在售	V	散装	在售	HEMT	-	2.7GHz ~ 2.9GHz	15.6dB	50 V	-	-	60 mA	290W	125 V	表面贴装型	55-QP	55-QP
	1012GN-800V RF MOSFET GAN 54V 55-KR Microchip Technology	0 现货	在售	V	散装	在售	GaN	-	1.025GHz ~ 1.15GHz	19.3dB	54 V	-	-	120 mA	825W	150 V	表面贴装型	55-KR	55-KR
	0912GN-300V RF MOSFET HEMT 50V 55-KR Microchip Technology	0 现货	在售	V	散装	在售	HEMT	-	960MHz ~ 1.215GHz	18dB	50 V	-	-	60 mA	300W	150 V	表面贴装型	55-KR	55-KR
	0912GN-250V RF MOSFET HEMT 50V Microchip Technology	0 现货	在售	V	散装	在售	HEMT	-	960MHz ~ 1.215GHz	18.5dB	50 V	-	-	60 mA	250W	65 V	底座安装	2-扁平封装，叶片引线，带法兰	-
	1011GN-250V RF MOSFET GAN 50V 55-QP Microchip Technology	0 现货	在售	V	散装	在售	GaN	-	1.03GHz ~ 1.09GHz	20.5dB	50 V	-	-	60 mA	280W	125 V	表面贴装型	55-QP	55-QP
	0912GN-650V RF MOSFET HEMT 50V 55-KR Microchip Technology	0 现货	在售	V	散装	在售	HEMT	-	960MHz ~ 1.215GHz	18dB	50 V	-	-	100 mA	650W	150 V	表面贴装型	55-KR	55-KR

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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

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