Product Highlights

新产品

Vishay SIJK140E-T1-GE3 高效 N 沟道 MOSFET 经过精心设计，可最大限度降低功率损耗。

Vishay SiRS5700DP N 沟道 150 V MOSFET 非常适合各种电源管理应用。

新产品

Vishay MaxSiC™ MOSFET 采用专有技术，有效平衡了导通电阻和开关性能。

Vishay SiC46x 系列 microBUCK® DC/DC 转换器采用集成高压侧和低压侧功率 MOSFET 设计。

Vishay 的 SiHR080N60E E 系列功率 MOSFET 的鸥翼引线具有出色的温度循环能力。

Vishay 的 SiZF4800LDT 双 N 沟道 80 V MOSFET 提高了功率密度和效率，同时增强了热性能。

Vishay 的 150 V 第五代 SiR578DP MOSFET 可提高功率密度和效率。

Vishay 的 SISD5300DN N 沟道 30 V MOSFET 的翻转技术将热阻降低了 +63°C/W 至 +56°C/W。

Vishay 的 PowerPAIR MOSFET 在高效率和低功耗方面具有独特的电气性能优势。

Vishay 的第五代 TrenchFET MOSFET 可为隔离式和非隔离式拓扑提供更高的功率密度和效率。

Vishay 的 microBRICK 稳压器采用 10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm 封装，输出电流最大 25 A。

Vishay 的 SIP32433A/B 和 SIP32434A/B 电流阻断电子保险丝具有低至 8% 的保证限流精度。

Vishay 的 5G MOSFET 是 5G 基础设施、基站以及边缘计算和云计算的理想选择。

Vishay 的模拟开关和多路复用器具有从 12 V 到 16 V 的更高工作电压。

Vishay 的 SiC45x 系列 microBUCK® 稳压器采用 4.5 V 至 20 V 的输入电压。

Vishay 的 SQJ264EP 60 V MOSFET 采用 5 mm x 6 mm PowerPAK® SO 8L 双非对称封装。

Vishay 的 SiSS52DN 30 V n 沟道 MOSFET 为隔离和非隔离拓扑提供了更高的功率密度和效率。

Vishay Siliconix 的 SQJ 系列 V MOSFET 通过将两个 MOSFET 合并于一个封装中，有助于减少组件数量和电路板空间需求。

Vishay 的 SISF20DN-T1-GE3 共漏极双路 n 沟道 60 V MOSFET 可提高电池管理系统的功率密度和效率。

Vishay Siliconix 的中压 TrenchFET® 功率 MOSFET 可实现最高效率、更大功率密度并减少组件数量。