第五代 TrenchFET MOSFET
Vishay 的 80 V、100 V 和 150 V MOSFET 具有极低的 RDS 至 Qg FOM
Vishay TrenchFET® 第五代功率 MOSFET 可为隔离式和非隔离式拓扑提供更高的功率密度和效率。超低导通电阻、高达 +175°C 的工作温度以及 Vishay 节省空间的 PowerPAK® 封装有助于通过键合无引线结构提高板级可靠性。该系列经过 100% RG 和 UIS 测试,符合 RoHS 标准且不含卤素。
特性
- 极低的 RDS - Qg FOM
- 经过调节可实现非常低的 RDS - QOSS FOM
应用
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC 转换器
- 太阳能微型逆变器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业电机驱动
- 电池充电器
Gen V TrenchFET MOSFETs
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 漏源电压(Vdss) | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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SIDR5802EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET | 80 V | 4058 - 立即发货 | $22.66 | 查看详情 | ||
SIR5802DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE | 80 V | 3316 - 立即发货 | $14.86 | 查看详情 | ||
SIR5102DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | 100 V | 5667 - 立即发货 | $24.14 | 查看详情 | ||
SIDR5102EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE | 100 V | 0 - 立即发货 | $23.40 | 查看详情 | ||
SIR578DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | 150 V | 5890 - 立即发货 | $17.73 | 查看详情 | ||
SIDR578EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE | 150 V | 6000 - 立即发货 | $23.23 | 查看详情 |
发布日期: 2023-10-16