Vishay / Siliconix

MaxSiC™ MOSFET

Vishay MOSFET 为高功率应用提供更高的性能和卓越的效率

Vishay Siliconix MaxSiC™ MOSFET 的图片Vishay MaxSiCTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用专有技术，在导通电阻和开关性能之间实现了有效平衡，同时提供了一种具有小寄生电容、更长的短路耐受时间 (SCWT)、更高的击穿防范能力和有竞争力的栅极氧化物电场的坚固器件。

这些 SiC MOSFET 具有极具竞争力的品质因数，可以满足工业电机驱动逆变器、光伏 (PV) 能量转换和存储系统、车载充电器、充电站、服务器（数据中心）和不间断电源 (UPS) 等日益增长的应用的市场需求。

特性
  • 开关速度快
  • 3 μs 短路耐受时间
  • 1,200 V 漏源电压
  • 139 W 最大功率耗散 (TC=+25°C)
  • 29 A 连续漏极电流 (TC=+25°C)
  • -55°C 至 +150°C 工作结温范围
  • 无铅、无卤素
  • 采用 TO-247 3L 封装
  • 符合 RoHS 规范
应用
  • 充电器
  • 辅助电机驱动
  • DC/DC 转换器

MaxSiC MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2024-09-03

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