650 V SiC MOSFET 评估板

Wolfspeed 的电路板使用户能够评估 650 V 碳化硅 MOSFET 和肖特基二极管

Wolfspeed 的 650 V SiC MOSFET 评估板图片Wolfspeed 的 KIT-CRD-3DD065P 评估板展示了 650 V SiC MOSFET 和肖特基二极管的开关和热性能。该板可配置为在同步或异步模式下作为降压或升压转换器运行。用户可以在打开套件的几分钟内开始测试。

特性
  • 旨在实现以下测量:
    • 时序:TDelay-On、TDelay-Off、TRise 和 TFall
    • 过冲:VDS-Max 和 ID-Max
    • 速度:di/dt 和 dv/dt
    • 开关损耗:EON、E离开 和 ERR
    • 运行效率:高达 2.5 kW
  • 直流输入/输出电压:450 V(最大值)
  • 功率(最大值):100 kHz 时为 2.5 kW(受板载电感器限制,使用备用电感器可达到更高水平)
  • 与 TO-247-4 和 TO-247-3 SiC MOSFET 兼容
  • 与 TO-247 和 TO-220 碳化硅肖特基二极管兼容
  • 每个 C3M SiC MOSFET 的专用栅极驱动器和隔离电源
  • 示波器探头测量漏极电流(VGS、VDS 和 IS
  • 支持同步和异步降压和升压拓扑
应用
  • 高性能工业电源
  • 服务器和电信电源
  • 电动车辆充电系统
  • 蓄能系统 (ESS)
  • 太阳能 PV 逆变器
  • 不间断电源 (UPS)
  • 电池管理系统 (BMS)

650 V SiC MOSFET Evaluation Board

图片制造商零件编号描述功能嵌入式主要属性可供货数量价格查看详情
650V SIC FET BUCK-BOOST EVAL KITKIT-CRD-3DD065P650V SIC FET BUCK-BOOST EVAL KIT栅极驱动器--0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情

Associated MOSFETs

图片制造商零件编号描述漏源电压(Vdss)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)可供货数量价格查看详情
650V 120M SIC MOSFETC3M0120065J650V 120M SIC MOSFET650 V21A(Tc)157 毫欧 @ 6.76A,15V1495 - 立即发货$76.58查看详情
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SICFET N-CH 650V 120A TO247-3C3M0015065DSICFET N-CH 650V 120A TO247-3650 V120A(Tc)21 毫欧 @ 55.8A,15V912 - 立即发货$413.89查看详情
650V 120M SIC MOSFETC3M0120065K650V 120M SIC MOSFET650 V22A(Tc)157 毫欧 @ 6.76A,15V607 - 立即发货$76.58查看详情
650V 120M SIC MOSFETC3M0120065D650V 120M SIC MOSFET650 V22A(Tc)157 毫欧 @ 6.76A,15V488 - 立即发货$76.58查看详情
SICFET N-CH 650V 37A TO247-3C3M0060065DSICFET N-CH 650V 37A TO247-3650 V37A(Tc)79 毫欧 @ 13.2A,15V722 - 立即发货$94.67查看详情
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SICFET N-CH 650V 120A TO247-4LC3M0015065KSICFET N-CH 650V 120A TO247-4L650 V120A(Tc)21 毫欧 @ 55.8A,15V879 - 立即发货$413.89查看详情
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4LC3M0060065KSICFET N-CH 650V 37A TO247-4L650 V37A(Tc)79 毫欧 @ 13.2A,15V106 - 立即发货$134.71查看详情
GEN 3 650V 45 M SIC MOSFETC3M0045065DGEN 3 650V 45 M SIC MOSFET650 V49A(Tc)60 毫欧 @ 17.6A,15V461 - 立即发货$160.00查看详情
GEN 3 650V 49A SIC MOSFETC3M0045065KGEN 3 650V 49A SIC MOSFET650 V49A(Tc)60 毫欧 @ 17.6A,15V11 - 立即发货$160.00查看详情
发布日期: 2021-07-06