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C3M0025065K 没有现货，但可以进行缺货下单。
可用替代品:
类似
C3M0025065K | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | 1697-C3M0025065K-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | C3M0025065K | |
描述 | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET | |
原厂标准交货期 | 34 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 97A（Tc） 326W（Tc） TO-247-4L | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | C3M0025065K 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 34 毫欧 @ 33.5A，15V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 9.22mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 112 nC @ 15 V | |
Vgs（最大值） | +19V，-8V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2980 pF @ 600 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 326W（Tc） | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-4L | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥254.08000 | ¥254.08 |
| 30 | ¥210.66833 | ¥6,320.05 |
| 120 | ¥197.50183 | ¥23,700.22 |
Manufacturers Standard Package
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