设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
具有小于 10 mohm RDS(on) 的 UF3SC SiC FET
UnitedSiC 的 UF3SC 提供前所未有的性能和效率水平，适用于大功率应用
UnitedSiC 的 UF3SC SiC FET 在 650 V 时 RDS(ON) 为 7mΩ，在 1200 V 时 RDS(ON) 为 10 mΩ，为大功率应用提供了前所未有的性能和效率水平。这类高性能 SiC FET 器件基于独特的共源共栅电路配置，其中常导通 SiC JFET 与 Si MOSFET 共封装，以生产常断开 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许可真正直接替代 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。这些器件采用 TO-247-4L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
特性
- 6.7 mΩ 和 8.6 mΩ 的典型 RDS(on)
- 最高工作温度 +175°C
- 出色的反向恢复
- 低栅极电荷
- 低本征电容
- ESD 保护，HBM 2 级
- TO247-4L 开尔文封装
应用
- 电动汽车 (EV) 逆变器
- 大功率 DC/DC 转换器
- 大电流电池充电器
- 固态电路保护（断路器）
- PFC 模块
- 电机驱动
UF3SC SiC FETs with <10 mΩ RDS(on)
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | UF3SC065007K4S | MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4 | 120A（Tc） | 12V | 9 毫欧 @ 50A，12V | 1750 - 立即发货 | $610.78 | 查看详情 |
发布日期： 2020-03-23
