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Designing with UnitedSiC FETs

UnitedSiC present two new SiC FETs, with RDS(ON) levels of 7mohm at 650V and 10mohm at 1200V, both delivering unprecedented levels of performance and efficiency for use in high-power.

3/5/2020 9:25:20 PM

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MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4UF3SC065007K4SMOSFET N-CH 650V 120A TO247-41808 - 立即发货$604.86查看详情

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Minimizing EMI and switching loss for SiC FETs

发布日期：2020-11-03

相关产品亮点

具有小于 10 mohm RDS(on) 的 UF3SC SiC FET UnitedSiC 的 UF3SC SiC FET 在 650 V 时 RDS(on) 为 7 mΩ，在 1200 V 时为 9 mΩ，采用行业标准 TO247 3 引线和 4 引线开尔文封装。

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