TP65H050WS/TP65H035WS GaN FET - Transphorm

DigiKey电子元器件新产品信息 > TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)

            TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)
  
                    Transphorm 的 GaN FET 通过降低电磁干扰 (EMI) 和提高抗噪性来实现更安静的开关

Transphorm 的 TP65H050WS/TP65H035WS GaN FET 的图片 Transphorm 的 TP65H050WS 和 TP65H035WS 为 Gen III 650 V GaN FET。它们可以降低 EMI，提高栅极噪声抗扰度，并在电路应用中提供更大的裕量。50 mΩ TP65H050WS 和 35 mΩ TP65H035WS 采用标准 TO-247 封装。

MOSFET 和设计修改使 Gen III 器件能够将阈值电压（抗噪声）从 2.1 V (Gen II) 提升到更高的 4 V，从而无需负栅极驱动。栅极可靠性比第二代增加了11%，最高达到 ±20 V.这样可以实现更安静的切换，并且该平台可通过简单的外部电路在更高的电流水平下提供性能改善。

Seasonic Electronics 公司的 1600T 是 1600 W 无桥图腾柱平台，使用这些高压 GaN FET 为电池充电器（电动滑板车、工业应用等）、PC 电源、服务器和游戏市场带来 99% 的功率因数校正 (PFC) 效率。将这些 FET 与基于芯片的 1600T 平台一起使用的好处包括效率提高 2%，功率密度提高 20%。

1600T 平台采用 Transphorm 的 TP65H035WS，以提高硬开关和软开关电路的效率，并在设计电源系统产品时提供用户选择。TP65H035WS 可与常用的栅极驱动器配对，简化了设计。

特性

符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
稳健的设计：
- 本征使用寿命测试
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力

动态 R_DS(on)eff 生产测试
非常低的 Q_RR
降低了分频损耗
符合 RoHS 规范且无卤素的封装

优势

实现交流/直流 (AC/DC) 无桥图腾柱 PFC 设计
- 更高的功率密度
- 减小系统尺寸和重量

提高 Si 的效率/运行频率
使用常用的栅极驱动器易于驱动
GSD 引脚布局改善了高速设计

应用

数据通信
广泛的工业应用

PV 逆变器
伺服电机

TP65H050WS and TP65H035WS GaN FETs

	图片	制造商零件编号	描述	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	可供货数量	价格	查看详情
		TP65H050WS	GANFET N-CH 650V 34A TO247-3	12V	60 毫欧 @ 22A，10V	4.8V @ 700µA	315 - 立即发货	$145.06	查看详情
		TP65H035WS	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3	12V	41 毫欧 @ 30A，10V	4.8V @ 1mA	302 - 立即发货	$115.34	查看详情

Evaluation Boards

	图片	制造商零件编号	描述	输出和类型	电压 - 输出	电流 - 输出	可供货数量	价格	查看详情
		TDTTP4000W066B-KIT	4KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT	1，非隔离	390V	15A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
		TDINV3000W050-KIT	3.0KW INVERTER EVAL KIT	1，非隔离	-	22A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情

发布日期： 2018-11-15

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