UCC27611 高速单栅极驱动器

TI 的 4 A 和 6 A 优化型单栅极驱动器针对 5 V 驱动进行了优化

Texas Instruments 的 UCC27611 高速单栅极驱动器 Texas Instruments 的 UCC27611 是一款针对 5 V 驱动进行了优化的单通道、高速、栅极驱动器,尤其适用于 GaN FET 增强模式。 驱动电压 VREF 由内部线性稳压器精确控制到 5 V。UCC27611 具有非对称轨至轨峰值电流驱动能力,且提供 4 A 拉出和 6 A 灌入电流。 分离式输出配置可根据 FET 进行单独的接通和断开时间优化。

采用寄生电感最低的封装和引脚布局,减少了上升和下降时间并限制了振铃效应。 此外,具有最小容差和变化的短传播延迟有助于在高频下实现有效运行。 2Ω 和 0.3Ω 上拉和下拉电阻能在高 dV 和 dt 压摆率情况下增强对硬开关动作的抗扰能力。

特性
  • 增强模式氮化镓 FET (eGANFETs)
  • 4.0 V 至 18 V 单电源电压范围
  • 驱动器电压VREF 调节至 5 V
  • 4 A 峰值拉出和 6 A 峰值灌入驱动电流
  • 1 Ω 和 0.35 Ω 上拉和下拉电阻(最大限度地增强高 dV 和 dt 压摆率的抗扰能力)
  • 分离式输出配置(允许针对单独 FET 进行开启和断开优化)
  • 快速传播延迟(典型值为 14 ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值分别为 9 ns 和 4 ns)
  • TTL 和 CMOS 兼容输入(独立于电源电压,可轻松连接数字和模拟控制器)
  • 双输入设计提高了驱动灵活性(反相和非反相配置)

UCC27611 High-Speed Single Gate Driver

图片制造商零件编号描述通道类型驱动器数栅极类型可供货数量价格
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSONUCC27611DRVTIC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON单路1MOSFET(N 沟道)1585 - 立即发货
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发布日期: 2014-09-03