DRV5053 模拟双极霍尔效应传感器

Texas Instruments 提供其适合工业和消费类应用的 DRV5053 2.5 V 至 38 V 模拟双极霍尔效应传感器

Texas Instruments 的 DRV5053 模拟双极霍尔效应传感器图片Texas Instruments 的 DRV5053 器件是一种斩波稳定式霍尔 IC,它提供了一种磁场检测解决方案,具有几乎不受温度影响的出色灵敏度稳定性以及多种集成保护特性。

0 V 至 2 V 模拟输出可线性响应施加的磁通量密度,并区分磁场方向的极性。 具有高达 -22 V 反极性保护能力的宽工作电压范围(2.5 - 38 V)使得该器件适合各种工业和消费类应用。

提供针对反向电源条件、负载突降和输出短路或过流的内部保护功能。

特性
  • 线性输出霍尔传感器
  • 优异的温度稳定性
    • ±10% 温变灵敏度
  • 高灵敏度选择:
    • -11 mV/mT(OA,请参阅设备命名)
    • -23 mV/mT (PA)
    • -45 mV/mT (RA)
    • -90 mV/mT (VA)
    • 23 mV/mT (CA)
    • 45 mV/mT (EA)
  • 支持宽电压范围
    • 2.5 V 至 38 V
    • 无需外部稳压器
  • 宽工作温度范围
    • TA = -40 °C 至 125 °C(Q,请参阅设备命名)
  • 放大的输出级
    • 2.3 mA 灌入电流,300 µA 拉出电流
  • 输出电压:0.2 V 至 1.8 V
    • B = 0 mT,OUT = 1 V
保护功能 应用
  • 高达 -22 V 的反向供电保护功能
  • 支持高达 40 V 的负载突降
  • 输出短路保护
  • 输出电流限制
  • 流量表
  • 对接调节
  • 振动校准
  • 阻尼控制

DRV5053 Analog-Bipolar Hall Effect Sensors

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发布日期: 2016-02-15