STDRIVEG611 高性能半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG611 是一款高压、高速半桥栅极驱动器，专为 N 沟道增强型氮化镓 (GaN) 电源开关设计。这款先进的驱动器可以处理高达 600 V 的电压轨，并配有集成自举二极管，可轻松实现高压侧驱动器供电。STDRIVEG611 具有高电流能力、短传播延迟和出色的延迟匹配，针对驱动高速 GaN 晶体管进行了优化。它包括针对硬开关应用定制的电源欠压锁定 (UVLO)、防止交叉传导的联锁以及具有智能关断功能的过流比较器 (SmartSD)。该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +125°C，采用紧凑型 QFN 4 mm x 5 mm x 1 mm 封装。STDRIVEG611 非常适合高效率和快速开关应用，使其成为现代电源管理解决方案的多功能选择。