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SCT20N120 和 SCT30N120 碳化硅功率 MOSFET

STMicroelectronics 扩充了其碳化硅 MOSFET 系列产品,让更多的应用拥有宽带隙优势

SCT20N120 和 SCT30N120 碳化硅功率 MOSFET 的图片来自STMicroelectronics 的 SCT20N120 和 SCT30N120 碳化硅功率 MOSFET 能让范围广泛的能量敏感型应用实现更高的能效和可靠性,如用于电动/混合动力车辆、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。

在坚固耐用的高效率硅碳化物功率半导体器件开发领域,ST 是为数不多的几家领先供应商之一。 1200 V SCT20N120 和 SCT30N120 进一步扩充了该系列阵容,在直到 200°C 最高工作结温的范围内其导通电阻 (RDS(ON)) 都优于 290 mΩ(对于 SCT30N120,则优于 100 mΩ)。 得益于高度稳定的关断能量 (Eoff) 和栅极电荷 (Qg),这些器件的开关性能稳定,不受温度影响。 因此,实现了较低的导通损耗和开关损耗以及超低漏泄电流,从而能简化热管理并最大限度地提高可靠性。

除了其较低的能量损耗外,ST 的硅化碳 MOSFET 允许至少三倍于同级别硅 IGBT 的开关频率。 这样,设计人员就可以选择更小的外部元件,并减少尺寸、重量和物料清单成本。 SCT20N120 和 SCT30N120 的耐高温能力有助于简化如电动汽车中功率模块等应用的冷却系统设计。

SCT20N120 和 SCT30N120 均具有 ST 专有 HiP247™ 封装的优势以及更高的热效率,因此能在达到 200°C 的高温工作并能同时兼容行业标准的 TO-247 功率封装。

主要特性

  • 导通电阻随温度的变化非常小
  • 开关损耗随温度变化较小
  • 非常高的工作温度 (200°C)
  • 坚固耐用的超快型本征体二极管
  • 低电容
  • 易于驱动

SCT20N120

图片制造商零件编号描述不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)_2263不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)_2262可供货数量
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247SCT20N120MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247650pF @ 400V45nC @ 20V559 - 立即发货查看详情

SCT30N120

图片制造商零件编号描述不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)_2263不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)_2262可供货数量
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247SCT30N120MOSFET N-CH 1200V 45A HIP2471700pF @ 400V105nC @ 20V467 - 立即发货查看详情
发布日期: 2015-02-19