第 3 代沟槽型 SiC MOSFET
ROHM 的原始设计实现了高耐受电压、低导通电组和高开关速度
ROHM 的第 3 代 SiC MOSFET 采用了专有沟槽式栅极结构。相比现有的共面型 SiC MOSFET,这种结构能将导通电阻减少 50%,输入电容减少 35%。 也就是说,该器件显著降低了开关损耗,实现了更快的开关速度,既能提升能效,又能降低各种设备的功率损耗。
主要优势
- 更低的导通电阻提高了逆变器的功率密度
- 支持高速开关操作
- 寄生二极管的最小反向恢复特性
- 较小的 Qg 和寄生电容
- 可防止因寄生二极管导通造成降额
- 兼容高工作温度 (Tjmax= 175°C)
3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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SCT3022ALGC11 | SICFET N-CH 650V 93A TO247N | 1493 - 立即发货 | $414.44 | 查看详情 | ||
SCT3030ALGC11 | SICFET N-CH 650V 70A TO247N | 9107 - 立即发货 | $243.39 | 查看详情 | ||
SCT3060ALGC11 | SICFET N-CH 650V 39A TO247N | 446 - 立即发货 | $110.89 | 查看详情 | ||
SCT3120ALGC11 | SICFET N-CH 650V 21A TO247N | 6536 - 立即发货 | $71.54 | 查看详情 | ||
SCT3030KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 72A TO247N | 315 - 立即发货 | $634.01 | 查看详情 | ||
SCT3040KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 55A TO247N | 1584 - 立即发货 | $310.79 | 查看详情 | ||
SCT3080KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 31A TO247N | 0 - 立即发货 | $165.03 | 查看详情 | ||
SCT3160KLGC11 | SICFET N-CH 1200V 17A TO247N | 2138 - 立即发货 | $82.03 | 查看详情 |
发布日期: 2016-08-15