Microchip Technology

mSiC™ 分立式 MOSFET 系列

Microchip 高压碳化硅 MOSFET 非常适合坚固耐用且高效的电源转换

Microchip mSiC™ 分立式 MOSFET 系列图片Microchip mSiC™ MOSFET 系列专为需要高效率、紧凑尺寸和强大可靠性的中高压电源系统而设计。这些器件利用碳化硅技术最大限度减少传导损耗和开关损耗，与硅 MOSFET 和 IGBT 相比，可实现更高的开关频率并降低热管理复杂性。

该系列产品的额定电压范围为 700 V 至 3,300 V，并支持高达 +175°C 的结温。所有系列都具有核心特性，例如抗雪崩能力、抗短路能力和稳定的体二极管性能。然而，MA、MB 和 MC 系列针对不同的设计优先级，从对成本敏感的工业系统到高性能汽车和可再生能源应用，提供了不同的优化。

MA 系列特性
  • 面向超高压应用（高达 3,300 V）
  • 经优化，可在高栅极驱动电压（18 V 至 20 V）下实现最小的 RDS(ON)
  • 非常适合电网基础设施、牵引驱动器和航空航天系统
MB 系列特性
  • 覆盖广泛的工业和汽车应用（典型范围 1,200 V 至 1,700 V）
  • 推荐的栅极驱动电压：+18 V（导通）和 -5 V（关断）
  • 在电机驱动器、电动汽车充电器和可再生能源逆变器应用中实现效率和成本的平衡
MC 系列特性
  • 与 MB 的电压范围相似，但集成了一个栅极电阻器以提高开关稳定性
  • 减少了外部元器件数量并简化了高频设计的布局
  • 紧凑型转换器和需要低电磁干扰的系统的首选
特性
  • 在整个温度范围内保持低导通电阻 (RDS(ON))，从而实现高效率
  • 抗雪崩和抗短路能力提高了容错能力
  • 开关速度快，栅极电荷低，适用于高频操作
  • 电压范围：700 V 至 3,300 V
  • 工作温度高达 +175°C
应用
  • 工业电机驱动和电源转换系统
  • 可再生能源逆变器（太阳能和风能）
  • 电动汽车充电器和混合动力系统
  • 智能电网输配电设备
  • 高压电源和焊接系统

MA Series MOSFETs

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MB Series MOSFETs

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发布日期： 2025-12-03

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