表面贴装型 N 通道 1200 V 35A（Tc） 182W（Tc） TO-263-7
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MSC080SMA120SDT/R

DigiKey 零件编号
150-MSC080SMA120SDT/R-ND
制造商
Microchip Technology
制造商产品编号
MSC080SMA120SDT/R
描述
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
原厂标准交货期
4 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 1200 V 35A（Tc） 182W（Tc） TO-263-7
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Microchip Technology
系列
MSiC™ MA
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 15A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
64 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+23V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
838 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
182W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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现货: 797
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数量
所有价格均以 CNY 计算
散装
数量 单价
（含 13% 增值税）
总价
（含 13% 增值税）
1¥97.08000¥97.08
25¥89.55680¥2,238.92
100¥77.93500¥7,793.50