Name: MSC180SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC180SMA120SDT/RTR-ND
Price: 58.28 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

MSC180SMA120SDT/R
DigiKey 零件编号	150-MSC180SMA120SDT/RTR-ND - 卷带（TR） 150-MSC180SMA120SDT/RCT-ND - 剪切带（CT） 150-MSC180SMA120SDT/RDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Microchip Technology
制造商产品编号	MSC180SMA120SDT/R
描述	MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
原厂标准交货期	4 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 1200 V 21A（Tc） 146W（Tc） TO-263-7
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Microchip Technology
系列	MSiC™ MA
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	225 毫欧 @ 8A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	36 nC @ 20 V
Vgs（最大值）	+23V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	481 pF @ 1.2 kV
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	146W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263-7
封装/外壳	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA