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碳化硅 (SiC) 超快开关 MOSFET - LSIC1MO 系列
Littelfuse 提供增强型 N 沟道 SiC MOSFET，LSIC1MO 系列
IXYS: A Littelfuse Technology 的 SiC MOSFET 为传统的基于硅的功率晶体管器件提供了一种出色的替代方案。与类似额定值的 IGBT 相比，MOSFET 器件结构可实现更低的每周期开关损耗和更高的轻负载效率。材料的固有特性使 SiC MOSFET 在阻断电压、比导通电阻和结电容方面优于其对应的 Si MOSFET。作为首款 SiC MOSFET，其稳固设计可适应更广范围的高温应用。更高的开关频率可支持更小的无源滤波器组件；较低的器件损耗则允许使用更小的散热器。综合起来，这些特性可以提高系统效率和功率密度。这些器件的额定电压/电流值单位芯片尺寸更小，因此非常适合电机驱动控制、电源转换系统、太阳能逆变器和其他应用。
资源
特性
- 高工作温度
- 阻断电压高、比导通电阻低（SiC 材料特性）
- 超快开关速度
- 降低了开关损耗
应用
- 电源转换系统
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源
- UPS 系统
- 电机驱动
- 高压 DC/DC 转换器
- 电池充电器
Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFETs - LSIC1MO Series
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | LSIC1MO120E0080 | SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 | 369 - 立即发货 | $160.68 | 查看详情 |
| | LSIC1MO120E0120 | SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
| | LSIC1MO120E0160 | SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 | 2221 - 立即发货 1350 - 厂方库存 | $97.50 | 查看详情 |
| | LSIC1MO170E0750 | SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3 | 247 - 立即发货 | $68.64 | 查看详情 |
|  | LSIC1MO170T0750 | SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L | 873 - 立即发货 | $80.88 | 查看详情 |
发布日期： 2021-06-25
中国