碳化硅 (SiC) 超快开关 MOSFET - LSIC1MO120E0080
Littelfuse 提供增强模式 SiC MOSFET 1200 V、N 沟道 LSIC1MO120E 系列
Littelfuse 的 SiC MOSFET LSIC1MO120E 系列提供将低导通电阻和超低开关损耗集于一体,实现了传统 1200 V 类功率晶体管所无可比拟的优势。作为首款碳化硅 MOSFET,其坚固的设计可适应更广范围的高温应用。更小的散热器和更高的功率密度可实现更高能效和更小无源滤波器,且更高的功率密度支持更高的开关频率。该器件在同样电压/电流额定值下具有更小的芯片尺寸。
特性 | ||
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应用 | ||
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Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFET
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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![]() | ![]() | LSIC1MO120E0080 | SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 | 1200 V | 39A(Tc) | 376 - 立即发货 |
1 : ¥161.84
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![]() | LSIC1MO120E0120 | SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 | 1200 V | 27A(Tc) | 0 - 立即发货 |
450 : ¥80.50
管件
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![]() | ![]() | LSIC1MO120E0160 | SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 | 1200 V | 22A(Tc) | 2259 - 立即发货 2700 - 厂方库存 |
1 : ¥114.95
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发布日期: 2018-01-05