碳化硅 (SiC) 超快开关 MOSFET - LSIC1MO120E0080

Littelfuse 提供增强模式 SiC MOSFET 1200 V、N 沟道 LSIC1MO120E 系列

Littelfuse 的碳化硅 (SiC) 超高速开关 MOSFET - LSIC1MO120E0080 系列的图片Littelfuse 的 SiC MOSFET LSIC1MO120E 系列提供将低导通电阻和超低开关损耗集于一体,实现了传统 1200 V 类功率晶体管所无可比拟的优势。作为首款碳化硅 MOSFET,其坚固的设计可适应更广范围的高温应用。更小的散热器和更高的功率密度可实现更高能效和更小无源滤波器,且更高的功率密度支持更高的开关频率。该器件在同样电压/电流额定值下具有更小的芯片尺寸。

SiC MOSFET 前沿:器件革命、技术优势和商业前景

特性
  • 超快开关速度
  • 降低了开关损耗
  • 高工作温度
  • 阻断电压高、比导通电阻低(SiC 材料特性)
应用
  • 电源转换系统
  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源
  • UPS 系统
  • 电机驱动器
  • 高压 DC/DC 转换器
  • 电池充电器

Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFET

图片制造商零件编号描述漏源电压(Vdss)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)可供货数量价格查看详情
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3LSIC1MO120E0080SICFET N-CH 1200V 39A TO247-31200 V39A(Tc)376 - 立即发货
1 : ¥161.84
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SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3LSIC1MO120E0120SICFET N-CH 1200V 27A TO247-31200 V27A(Tc)0 - 立即发货
450 : ¥80.50
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2700 - 厂方库存
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发布日期: 2018-01-05