ePower™ 芯片组
EPC 的芯片组采用热增强型 QFN 封装,顶部裸露并优化了引脚排列
EPC ePower 芯片组集成了 100 V GaN 驱动器和高达 65 A 的 FET,为包括 DC/DC 转换和电机驱动在内的高功率密度应用提供高性能和小尺寸解决方案。EPC23101 eGaN® IC 加上 EPC2302 eGaN® FET 组成了一个 ePower 芯片组,最大耐受电压为 100 V,提供高达 65 A 的负载电流,开关速度大于 1 MHz。EPC2302 eGaN FET 提供超小 RDS(on),仅 1.8 mΩ,以及非常小的 QG、QGD 和 QOSS 参数,可实现低导通和开关损耗。两款器件均采用耐热增强型 QFN 封装,顶部裸露,并且两个器件之间的引脚排列经过优化。组合的芯片组基底面为 7 mm x 5 mm,为高功率密度应用提供了极小的解决方案尺寸。
- 集成 3.3 mΩ RDS(on) 带栅极驱动器的高压侧 FET
- 输入逻辑接口
- 电平位移
- 自举充电
- 栅极驱动缓冲电路
- 栅极驱动器输出驱动外部低压侧 eGaN FET
- 高频 DC/DC 转换器
- 降压、升压、半桥、全桥和 LLC 转换器
- BLDC 电机驱动器
- 单相和三相电机驱动逆变器
ePower™ Chipset
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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EPC23101ENGRT | TRANS GAN 100V EPOWER STAGE | 7278 - 立即发货 | $68.78 | 查看详情 | ||
EPC2302 | TRANS GAN 100V DIE .0018OHM | 40327 - 立即发货 | $53.74 | 查看详情 |
Evaluation Boards
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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EPC90142 | BOARD DEV EPC23101/EPC2302 100V | 36 - 立即发货 | $1,684.01 | 查看详情 | ||
EPC9170KIT | BD REF 12V/48V EPOWER CHIPSET | 15 - 立即发货 | $6,567.63 | 查看详情 |