AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM

Alliance Memory 的 AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM 支持高速数据传输,系统频率高达 400 MHz

Alliance Memory AS4C128M16D2 高速 CMOS DDR2 SDRAM 图片Alliance Memory 的 AS4C128M16D2 高速 CMOS 双数据速率 2 同步高密度 DRAM (DDR2 SDRAM) 容量为 2 Gb,采用 84 焊球 8 mm x 12.5 mm x 1.2 mm FBGA 封装。对于汽车、工业、消费电子、网络和医疗等要求高存储带宽的产品中的大量类似解决方案,AS4C128M16D2 无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

特性

  • 84 焊球、8 mm x 12.5 mm x 1.2 mm FBGA 封装
  • 支持商业级温度范围(0°C 至 +85°C)和工业级温度范围(-40°C 至 +95°C)
  • 内部配置为 8 组 16 Mb x 16 存储器,带有同步接口
  • 采用 +1.8 V (±0.1 V) 单电源工作
  • 快速时钟速率 400 MHz,数据速率 800 Mbps/引脚
  • 可编程读或写猝发长度为 4 或 8
  • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
  • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
  • 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式,从而最大限度提升性能
  • 符合 RoHS 规范
应用
  • 汽车
  • 工业
  • 消费
  • 网络
  • 医疗

High-Speed CMOS DDR2 SDRAM

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IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGAAS4C128M16D2A-25BCNIC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA499 - 立即发货
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IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGAAS4C128M16D2A-25BINIC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA324 - 立即发货
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发布日期: 2016-07-11