FET、MOSFET 阵列

结果 : 801
系列
-*GreenBridge™ PowerTrench®Power-SPM™PowerTrench®POWERTRENCH®PowerTrench®, SyncFET™QFET®SPM®UltraFET™µCool™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
-MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)共漏2 N 沟道(双)非对称型2 N-通道(双)2 P 沟道(双)共漏2 个 N 沟道2 个 N 通道(半桥)2 个 N 通道(双),肖特基2 个 P 沟道2 个 P 沟道(双)3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道(3 相桥式)
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平栅极,2.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平栅极,4V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
8V12V16V20V20V,8V22V24V25V30V30V,12V30V,20V30V,25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA115mA(Ta)120mA127mA(Ta)140mA150mA160mA160mA,140mA200mA200mA,150mA220mA220mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.46 毫欧 @ 160A,12V0.762 毫欧 @ 160A,12V0.765 毫欧 @ 160A,12V,0.580 毫欧 @ 160A,12V0.765 毫欧 @ 160A,12V,0.710 毫欧 @ 160A,12V0.88 毫欧 @ 160A,14V,0.71 毫欧 @ 160A,14V0.99 毫欧 @ 80A,10V,1.35 毫欧 @ 80A,10V1.039 毫欧 @ 160A,12V,762 微欧 @ 160A,12V1.25 毫欧 @ 35A,10V1.5 毫欧 @ 33A,10V1.6 毫欧 @ 40A,10V1.66 毫欧 @ 80A,10V1.8 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)600mV @ 250µA800mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 1mA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.31nC @ 4.5V0.4nC @ 4.5V0.7nC @ 4.5V0.75nC @ 4.5V0.9nC @ 4.5V1nC @ 10V1.1nC @ 4.5V1.2nC @ 4.5V1.3nC @ 5V1.32nC @ 10V1.4nC @ 10V1.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6.2pF @ 10V6.6pF @ 10V7pF @ 10V7.4pF @ 10V7.5pF @ 10V9pF @ 15V9.5pF @ 10V11pF @ 10V12pF @ 10V12pF @ 15V12.3pF @ 15V12.3pF @ 15V,12.8pF @ 15V
功率 - 最大值
125mW125mW(Ta)200mW200mW(Ta)250mW250mW(Ta)270mW270mW(Ta)272mW272mW(Ta)300mW300mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C-40°C ~ 125°C(TA)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
封装/外壳
4-SMD,无引线4-XFBGA4-XFBGA,FCBGA4-XFBGA,WLCSP5-SMD,鸥翼6-SMD,扁平引线6-SMD,无引线6-SSOT 扁平引线,SuperSOT™-6 FLMP6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘6-UFBGA,WLCSP6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
4-BGA(1x1)4-EFCP(1.01x1.01)4-WLCSP(1.26x1.26)4-WLCSP(1.6x1.4)5-CPH6-CPH6-CSP(1.77x3.54)6-DFN(3x3)6-EFCP(1.9x1.46)6-MCPH6-MLP(2x3)6-MicroFET(1.6x1.6)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
801结果

显示
/ 801
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
98,667
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79155
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
250mA
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
1.3nC @ 5V
33pF @ 5V
272mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
81,000
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49292
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
295mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
26,099
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.86681
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
540mA,430mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
106,690
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15451
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
50V
510mA
2 欧姆 @ 510mA,10V
2.5V @ 250µA
1nC @ 10V
20pF @ 25V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT 363
FDG6301N
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
onsemi
69,579
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15451
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
25V
220mA
4 欧姆 @ 220mA,4.5V
1.5V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
9.5pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
519,478
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.79848
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
46,427
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80293
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
630mA
375 毫欧 @ 630mA,4.5V
1.5V @ 250µA
3nC @ 4.5V
46pF @ 20V
270mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT 363
FDG6322C
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
onsemi
28,812
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22544
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
25V
220mA,410mA
4 欧姆 @ 220mA,4.5V
1.5V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
9.5pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT-563
2N7002V
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F
onsemi
9,016
现货
9,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20954
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
280mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563F
6-TSOP
NTGD4167CT1G
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
onsemi
924,654
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.48485
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.6A,1.9A
90 毫欧 @ 2.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
295pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
SOT 363
FDG6303N
MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
onsemi
68,083
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02770
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
25V
500mA
450 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.5V @ 250µA
2.3nC @ 4.5V
50pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
22,362
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83557
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
115mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SG6858TZ
NDC7001C
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
onsemi
8,250
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.26823
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V
510mA,340mA
2 欧姆 @ 510mA,10V
2.5V @ 250µA
1.5nC @ 10V
20pF @ 25V,66pF @ 25V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT-363
NTJD1155LT1G
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
onsemi
103,545
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.31226
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
8V
1.3A
175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
1V @ 250µA
-
-
400mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563-6_463A
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
onsemi
20,000
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.85340
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
20V
430mA
900 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
175pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT 363
FDG6332C
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
onsemi
12,863
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32816
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
700mA,600mA
300 毫欧 @ 700mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.5nC @ 4.5V
113pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT-363
NTJD4152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
onsemi
91,125
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09130
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
880mA
260 毫欧 @ 880mA,4.5V
1.2V @ 250µA
2.2nC @ 4.5V
155pF @ 20V
272mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-563
FDY1002PZ
MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F
onsemi
18,605
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.49572
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
830mA
500 毫欧 @ 830mA,4.5V
1V @ 250µA
3.1nC @ 4.5V
135pF @ 10V
446mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563F
SG6858TZ
FDC6327C
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6
onsemi
14,425
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.49448
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
2.7A,1.9A
80 毫欧 @ 2.7A,4.5V
1.5V @ 250µA
4.5nC @ 4.5V
325pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT 363
FDG8850NZ
MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
onsemi
24,047
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.51651
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
750mA
400 毫欧 @ 750mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.44nC @ 4.5V
120pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SG6858TZ
FDC6333C
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
onsemi
44,337
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66570
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.5A,2A
95 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
6.6nC @ 10V
282pF @ 15V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT-963_527AD
NTUD3170NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
onsemi
71,653
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
8,000 : ¥1.79319
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
220mA
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
-
12.5pF @ 15V
125mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
SG6858TZ
FDC6420C
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
onsemi
7,606
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
3A,2.2A
70 毫欧 @ 3A,4.5V
1.5V @ 250µA
4.6nC @ 4.5V
324pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SG6858TZ
FDC6305N
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
onsemi
13,912
现货
1 : ¥5.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.73543
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
2.7A
80 毫欧 @ 2.7A,4.5V
1.5V @ 250µA
5nC @ 4.5V
310pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT 363
FDG1024NZ
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
onsemi
10,076
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.95897
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
1.2A
175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
1V @ 250µA
2.6nC @ 4.5V
150pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。